SJ 50033.31-1994 半导体分立器件.FH101型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
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ID： |
C793537959424B9090273FBCA15B1616 |
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文件大小(MB)： |
0.44 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/31—94,半导体分立器件,FH101型NPN硅功率达林顿,晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type FH101 NPN silicon power,Darlington transistor,199小0%30发布1994-12-0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,FH101型NPN硅功率达林顿,晶体管详细规范,SJ 50033/31-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type FH101 NPN silicon power,Darlington transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 FH10I型NPN硅功率达林顿晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范打,3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GB 11499—89半导体分立器件文字符号,GJB 33—85 半导体分立器件总规定,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3-2设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994-12-01实施,SJ 50033/31-94,3. 2.1引出端材料和除层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或像层,3.2-2器件结构,采用外延台面结构,3.2.3外形尺寸,3.3最大额定值和主要电特性,3- 3.1最大额定值,注:り?'(:>25匸时,按1.67W/C的速率线性地降额.,型号,F紹,Tl25で,CW),UcBO,(V),VcEO,(V),VfBO,(V),Ie,CA) (A),百ヘ,(*0),FH1O1 250 700 500 8 50 10 —55^175 - 55rl75,-2 —,SJ 50033/31-94,3-4电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3- 5标志,标志应符合GJB 33和本规范的規定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定.,4-3筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定.其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予以锡除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测试或试验,7、中间电参数测试IcaOl 和 hr El,8、功率老化,7,,= 162. 5±12.5C,PQ125W,VcK = 15V,9、最后测试,按本规范表1的A2分组,"c四丒初始值的100%或30曲A取较大者,她附《初始值的士 20%,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,SJ 50033/31-94,4.4.2 B组检輪,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定逬行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3. 3. 2.1的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,集电极一发射极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,发射极一举极,截止电机,正向电流传输比,集电极ー发射极,饱和电压,基极ー发射极,饱和电压,二极管正向电压,本规范,附录A,2.1,乙?,2.3,2.3,2.4,GB 4023,L2.1,基极一发射极开路,几= 5mA,Vcb—5OOV,集电极ー发射极开路,产 2 V .,Mu k 5v,ね= 20A,脉冲法（见4. 5.1）,/c = ZOA,7b = 1A,脉冲法（见丸3.1）,几= 20A,/lIA,脉冲法（见4. 5.1）,みエ2GA,5,炉(RK)C￡O,1イ頃1,Zkbo,^FEL,VF,500,25,Q. 5,350,2. 2,2,75,5,V,mA,mA,V,V,V,A3分组,高温工作,集电极一基极,截止电流,低温工作,正向电标传输比,2丒1,2.8,ね= 125 ± 5c,FdOOV,アス=一55ヒ,Vce = 5V,八二 2DA,脉冲法(见4. 5.1),5,130$,^FEU 15,5 mA,—4 —,下载,SJ 50033/31-94,续表1,检验或试髓,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A4分组,输出电容,延迟时间,上升时间,存储时间,下降时间,2.11,3,A.4,A.4,A.4,A.4,VCb=10iZe = 0,100kHz,7c = 20A,/bi = 一 ［密=1A,/c=20A,九1 = 一1的=1A,320A,厶］=ーん产1A,Zc =……
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